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1. 감광재(感光劑, Photo resist)의 개념
1. Photo-resist 역사.
Photo-resist란 빛에 의해 分子 구조가 바뀌어 현상액에 선택적 용해가 가능한 물질을 말하며
B.C. 5000-4000 年 경 이집트인들은 Linen 천을 Asphalt가 함유된 용액에 담근 후 이 천을 햇빛에 쪼이면 천이 딱딱하게 굳는다는 것을 발견했는데 이것은 Asphalt 분자가 햇빛에 의해 서로 결합되었기 때문이다.
이들은 이 천을 이용하여 미이라를 감아 사후 세계에 대한 환생을 대비했다.
최근에는 미국의 KODAK에서 Printing circuit 생산을 위해 최초로 Photo-resist를 개발했고, 그 後 SHIPLY, HUNT, McDermid, TOKYO OHKA, Mitshubishi, Hitachi, UCB-JSR 등의 공급자가 개발 및 시판에 참여하고있다.
2. Photo-resist의 구성
Photo-resist는 Solvent, Polymer, Sensitizer로 구성되어 있고, Solvent는 점도 결정에 중요한 변수로 작용하며, Polymer는 Monomer가 수천 개씩 결합한 상태로 현상 후 Pattern으로 남아 있는 Resist의 실체이다.
Sensitizer는 PAC(Photo Active Compound)라고 부르기도 하며, 현상공정에서 Polymer를 녹게 하거나 Positive) 녹지 않게 하는(Negative) 중개자 역할을 한다.
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