UV 세정의 개요
세정 에너지와 산화
오존의 특성
표면 전처리
UV 세정, 개질 메커니즘
UV/O3 세정. 표면 개질
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재질별 세정과 개질
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자외선 세정의 개요

자외선 세정은 자외선 자체의 에너지가 469.8KJ/mole, 644.3KJ/mole로 C-C, C-O, Si-D, SiC, C-H, C-N, O-O, O-H 결합보다 높으므로 화학결합원자 간에 직접 작용하여 결합을 끊든가, 자외선과 산소가 반응하여 발생한 오존이 -OH 라디칼을 형성하여 이 라디칼이 유기 오염물질과 직접 반응하여 오염된 유기물을 휘발성 물질(H2O, CO, CO2, N2)로 변화시켜 제거한다.

LCD, OLED, Glass 기판에 붙어 있는 유기 오염물은 그 크기가 분자 단위의 크기로 너무 미세하므로 수세(Wet Cleaning)로는 제거하는데 한계가 있다. 따라서 이러한 수십 A 크기의 미세한 불순물은 물리적인 방법이 아니라 화학-물리적인 방법으로 제거한다.

LCD, OLED 기판에 붙어 있는 유기 오염물은 화학적으로 -C-H, -C=C-, -C-O, -C-Cl, -C-N 등 여러 가지 화학 결합을 하고 있다.
이러한 화학 결합은 자신의 결합 에너지보다 강한 에너지 충격을 받으면 CO2. H2O 등으로 분해되거나, -OH, -CHO, -COOH와 같이 친수성기로 전환된다.