일본 정부와 반도체업체 등 민간 25개사가 주축이 돼 추진 중인 차세대
반도체 프로젝트 ‘미라이’가 6㎚(나노미터) 반도체 개발에 성큼 다가
섰다.
21일 미라이팀은 원자 수준의 평범한 실리사이트 계면과 불순물을 이용
해 접합 형성기술을 개발, 이를 금속의 고전도율 절연막 형성 기술과 접
합시켜 게이트 길이 6㎚인 트랜지스터를 작동하는데 성공했다고 발표했
다.
트랜지스터는 수㎚까지 미세화하더라도 작동된다는 이론이 연구 단계에
서 규명됐지만 실제 실험에 성공하기는 이번이 처음이다.
이번에 개발한 트랜지스터의 작열 공정은 이온 주입 공정이 간소화돼 접
합 형성에 필요한 열처리 온도를 기존보다 무려 400도나 떨어뜨린다. 이
에 따라 향후 극한까지 미세화된 트랜지스터의 양산기술로서 활용이 기
대된다. 지금까지 트랜지스터 접합 형성 과정에서 필요한 열처리 온도
는 약 1000도였다.
/ 출처 : 전자신문 ( http://www.etnews.co.kr/ )
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