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>파주에 위치한 반도체 업체인 ASE korea의 FA엔지니어 김지훈이라고 합니다. 다름이 아니라 몇 가지 문의 드릴 사항이 있어 글 남김니다.
>FA (failure analysis)를 함에 있어 여러가지 package별로 목적에 따라 분석을 하는데, 제품중 sensor의 경우 die표면에 membrain과 같은 detecting area를 보호하기 위하여 고분자 물질인 gel을 표면에 코팅을 합니다.
>이러한 경우 FA를 하게 되면 gel을 제거해야 하는데 gel의 종류별로 현재는 chemaical적으로 용해제를 사용하여 제거를 합니다.
>그러나 종류에 따라 solution이 없는 종류의 gel (EX : sifel gel)이 있는데 이러한 경우 gel 제거를 못하여 문제가 되고 있습니다. 따라서 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법을 모색중 귀사의 UV제품을 알게 되어 질문드립니다. 여쭈고자 하는 질문은 아래와 같습니다.
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>1. 귀사의 UV/O3장비 또는 엑시머 UV로 gel 제거가 가능한지요? (gel의 두께는 제품마다 다르나 대략적으로 0.5mm~3mm사이 입니다.)
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>2. gel제거가 가능하다면 데모가 가능한지요?
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>3. gel제거시 die surface 및 wire에 damage가 발생한지요?
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>그럼 답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.
답 :
팩키지 표면의 미세한 유기 불순물은 uv로 제거되지만 문제는 제거 효율일 것 같습니다.
현재 두께가 1.5-3mm라면 아무리 분해가 잘되는 성분의 불순물이라고 해도 시간이 매우 오래 걸리리라고 생각합니다.
불순물은 유기 불순물과 무기 불순물로 나뉘는데, 무기 불순물은 uv로 제거되지 않읍니다.
극히 미량인 경우는 플라즈마로 제거하는 경우도 있기는 합니다만, (정확히는 무기 불순물이 제거되는 것이 아니라, 일부 에칭되어 혼재된다고 보면되고, 이론적으로는 환원시켜서 산소는 산소대로 증발시키고, 금속은 환원되어 금속으로 남는 상태이므로 제거된다고 말하기는 어렵읍니다).
유기 불순물은 uv로 제거되는데 우선 종류별로 화학 성분, 즉, 제거하고져 하는 유기물의 C-C, C-H, C-O등 결합에너지가 UV 에너지 보다 높은 종류의 확학 구조를 가진 불순물은 제거되지 않습니다.
또 한가지는 UV 에너지 제거하는 것은 분자단위로 제거됩니다. 그런데 현실적으로 두께가 0.5-3mm의 불순물이라면 분자층의 두께로 보았을 때 수십만개(분자 1개의 두께는 수 nm)의 분자이므로 mm단위 크기의 불순물을 제거하는 것은 시간이 매우 오래 걸리므로 현실적으로 실무에서 사용하지 않읍니다.
결론적으로 sifel gel을 제거하는 방법은 chemical적인 방법으로 sifel gel을 용해시키는 solvent를 찾던지 기계적인 제거 방법을 찾아야 할 듯합니다.
UV로 제거하는 불순물은 두께가 sub-micron 정도로 아주 얇게 contamination된 것에 주로 응용합니다.
궂이 uv를 적용하려면 0.5-3mm의 두께의 sifel gel이 아니라 수 미크론 두께라면 제거할 수도있으리라 보여지긴 합니다.
도움이 되어 드리지 못해 미안합니다.
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