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>>파주에 위치한 반도체 업체인 ASE korea의 FA엔지니어 김지훈이라고 합니다. 다름이 아니라 몇 가지 문의 드릴 사항이 있어 글 남김니다.
>>FA (failure analysis)를 함에 있어 여러가지 package별로 목적에 따라 분석을 하는데, 제품중 sensor의 경우 die표면에 membrain과 같은 detecting area를 보호하기 위하여 고분자 물질인 gel을 표면에 코팅을 합니다.
>>이러한 경우 FA를 하게 되면 gel을 제거해야 하는데 gel의 종류별로 현재는 chemaical적으로 용해제를 사용하여 제거를 합니다.
>>그러나 종류에 따라 solution이 없는 종류의 gel (EX : sifel gel)이 있는데 이러한 경우 gel 제거를 못하여 문제가 되고 있습니다. 따라서 이러한 문제점을 해결하기 위한 방법을 모색중 귀사의 UV제품을 알게 되어 질문드립니다. 여쭈고자 하는 질문은 아래와 같습니다.
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>>1. 귀사의 UV/O3장비 또는 엑시머 UV로 gel 제거가 가능한지요? (gel의 두께는 제품마다 다르나 대략적으로 0.5mm~3mm사이 입니다.)
>>
>>2. gel제거가 가능하다면 데모가 가능한지요?
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>>3. gel제거시 die surface 및 wire에 damage가 발생한지요?
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>>그럼 답변 부탁드리겠습니다. 감사합니다.
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>답 :
>팩키지 표면의 미세한 유기 불순물은 uv로 제거되지만 문제는 제거 효율일 것 같습니다.
>현재 두께가 1.5-3mm라면 아무리 분해가 잘되는 성분의 불순물이라고 해도 시간이 매우 오래 걸리리라고 생각합니다.
> 불순물은 유기 불순물과 무기 불순물로 나뉘는데, 무기 불순물은 uv로 제거되지 않읍니다.
>극히 미량인 경우는 플라즈마로 제거하는 경우도 있기는 합니다만, (정확히는 무기 불순물이 제거되는 것이 아니라, 일부 에칭되어 혼재된다고 보면되고, 이론적으로는 환원시켜서 산소는 산소대로 증발시키고, 금속은 환원되어 금속으로 남는 상태이므로 제거된다고 말하기는 어렵읍니다).
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>유기 불순물은 uv로 제거되는데 우선 종류별로 화학 성분, 즉, 제거하고져 하는 유기물의 C-C, C-H, C-O등 결합에너지가 UV 에너지 보다 높은 종류의 확학 구조를 가진 불순물은 제거되지 않습니다.
>또 한가지는 UV 에너지 제거하는 것은 분자단위로 제거됩니다. 그런데 현실적으로 두께가 0.5-3mm의 불순물이라면 분자층의 두께로 보았을 때 수십만개(분자 1개의 두께는 수 nm)의 분자이므로 mm단위 크기의 불순물을 제거하는 것은 시간이 매우 오래 걸리므로 현실적으로 실무에서 사용하지 않읍니다.
>결론적으로 sifel gel을 제거하는 방법은 chemical적인 방법으로 sifel gel을 용해시키는 solvent를 찾던지 기계적인 제거 방법을 찾아야 할 듯합니다.
>UV로 제거하는 불순물은 두께가 sub-micron 정도로 아주 얇게 contamination된 것에 주로 응용합니다.
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>궂이 uv를 적용하려면 0.5-3mm의 두께의 sifel gel이 아니라 수 미크론 두께라면 제거할 수도있으리라 보여지긴 합니다.
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>도움이 되어 드리지 못해 미안합니다.
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